PHD23NQ10T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PHD23NQ10T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 39 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 139 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK
Búsqueda de reemplazo de PHD23NQ10T MOSFET
PHD23NQ10T PDF Specs
phd23nq10t.pdf
Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP23NQ10T, PHB23NQ10T PHD23NQ10T FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 100 V Fast switching Low thermal resistance ID = 23 A g RDS(ON) 70 m s GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a ... See More ⇒
phb23nq10t phd23nq10t php23nq10t 1.pdf
Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP23NQ10T, PHB23NQ10T PHD23NQ10T FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 100 V Fast switching Low thermal resistance ID = 23 A g RDS(ON) 70 m s GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a ... See More ⇒
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History: P0903BV | P0903BKB
Liste
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