PHD23NQ10T - аналоги и даташиты транзистора

 

PHD23NQ10T - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PHD23NQ10T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 139 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для PHD23NQ10T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHD23NQ10T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:101K  philips
 phd23nq10t.pdf pdf_icon

PHD23NQ10T

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP23NQ10T, PHB23NQ10T PHD23NQ10TFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 100 V Fast switching Low thermal resistance ID = 23 AgRDS(ON) 70 msGENERAL DESCRIPTIONN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a

 ..2. Size:102K  philips
 phb23nq10t phd23nq10t php23nq10t 1.pdf pdf_icon

PHD23NQ10T

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP23NQ10T, PHB23NQ10T PHD23NQ10TFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 100 V Fast switching Low thermal resistance ID = 23 AgRDS(ON) 70 msGENERAL DESCRIPTIONN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a

Другие MOSFET... PHB96NQ03LT , PHD108NQ03LT , PHD14NQ20T , PHD16N03LT , PHD16N03T , PHD18NQ10T , PHD21N06LT , PHD22NQ20T , IRFB4115 , PHD34NQ10T , PHD36N03LT , PHD37N06LT , PHD44N06LT , PHD50N06LT , PHD66NQ03LT , PHD77NQ03T , PHD78NQ03LT .

History: 2SK3156 | AP30P10GP-HF | RD16HHF1 | AOI2210 | FQP50N06 | STW45NM60

 

 
Back to Top

 


 
.