Справочник MOSFET. PHD23NQ10T

 

PHD23NQ10T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHD23NQ10T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 39 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 139 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PHD23NQ10T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:101K  philips
 phd23nq10t.pdf pdf_icon

PHD23NQ10T

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP23NQ10T, PHB23NQ10T PHD23NQ10TFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 100 V Fast switching Low thermal resistance ID = 23 AgRDS(ON) 70 msGENERAL DESCRIPTIONN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a

 ..2. Size:102K  philips
 phb23nq10t phd23nq10t php23nq10t 1.pdf pdf_icon

PHD23NQ10T

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP23NQ10T, PHB23NQ10T PHD23NQ10TFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 100 V Fast switching Low thermal resistance ID = 23 AgRDS(ON) 70 msGENERAL DESCRIPTIONN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: NCEAP0135AK | SML9030-220M-ISO | STP5NB40 | NTMFS4927NCT1G | FDD9410F085 | SWF2N65DB | 2SK3532

 

 
Back to Top

 


 
.