PHD34NQ10T Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHD34NQ10T  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 227 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm

Encapsulados: DPAK

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PHD34NQ10T datasheet

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PHD34NQ10T

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP34NQ10T, PHB34NQ10T PHD34NQ10T FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 100 V Fast switching Low thermal resistance ID = 35 A g RDS(ON) 40 m s GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a

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PHD34NQ10T

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP34NQ10T, PHB34NQ10T PHD34NQ10T FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 100 V Fast switching Low thermal resistance ID = 35 A g RDS(ON) 40 m s GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a

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