PHD34NQ10T Todos los transistores

 

PHD34NQ10T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHD34NQ10T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 227 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

PHD34NQ10T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:118K  philips
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PHD34NQ10T

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP34NQ10T, PHB34NQ10T PHD34NQ10TFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 100 V Fast switching Low thermal resistance ID = 35 AgRDS(ON) 40 msGENERAL DESCRIPTIONN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a

 ..2. Size:118K  philips
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PHD34NQ10T

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP34NQ10T, PHB34NQ10T PHD34NQ10TFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 100 V Fast switching Low thermal resistance ID = 35 AgRDS(ON) 40 msGENERAL DESCRIPTIONN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: RFD16N06LESM | DMN2170U | NCE2301E | DAC030N120Z1 | IRFR3410PBF | IRCP150 | NDS9410A

 

 
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