PHD34NQ10T - описание и поиск аналогов

 

PHD34NQ10T - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PHD34NQ10T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 227 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для PHD34NQ10T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHD34NQ10T технические параметры

 ..1. Size:118K  philips
 phd34nq10t.pdf pdf_icon

PHD34NQ10T

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP34NQ10T, PHB34NQ10T PHD34NQ10T FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 100 V Fast switching Low thermal resistance ID = 35 A g RDS(ON) 40 m s GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a

 ..2. Size:118K  philips
 phb34nq10t phd34nq10t php34nq10t 1.pdf pdf_icon

PHD34NQ10T

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP34NQ10T, PHB34NQ10T PHD34NQ10T FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 100 V Fast switching Low thermal resistance ID = 35 A g RDS(ON) 40 m s GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a

Другие MOSFET... PHD108NQ03LT , PHD14NQ20T , PHD16N03LT , PHD16N03T , PHD18NQ10T , PHD21N06LT , PHD22NQ20T , PHD23NQ10T , 10N60 , PHD36N03LT , PHD37N06LT , PHD44N06LT , PHD50N06LT , PHD66NQ03LT , PHD77NQ03T , PHD78NQ03LT , PHD82NQ03LT .

 

 
Back to Top

 


 
.