Справочник MOSFET. PHD34NQ10T

 

PHD34NQ10T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHD34NQ10T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 227 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PHD34NQ10T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:118K  philips
 phd34nq10t.pdf pdf_icon

PHD34NQ10T

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP34NQ10T, PHB34NQ10T PHD34NQ10TFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 100 V Fast switching Low thermal resistance ID = 35 AgRDS(ON) 40 msGENERAL DESCRIPTIONN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a

 ..2. Size:118K  philips
 phb34nq10t phd34nq10t php34nq10t 1.pdf pdf_icon

PHD34NQ10T

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP34NQ10T, PHB34NQ10T PHD34NQ10TFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 100 V Fast switching Low thermal resistance ID = 35 AgRDS(ON) 40 msGENERAL DESCRIPTIONN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: 2SK2464 | SML6017AFN | IPD50R280CE | VMK90-02T2 | FRK260H | NDT6N70 | STV60N06

 

 
Back to Top

 


 
.