PHD34NQ10T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PHD34NQ10T  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 227 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: DPAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PHD34NQ10T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHD34NQ10T даташит

 ..1. Size:118K  philips
 phd34nq10t.pdf pdf_icon

PHD34NQ10T

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP34NQ10T, PHB34NQ10T PHD34NQ10T FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 100 V Fast switching Low thermal resistance ID = 35 A g RDS(ON) 40 m s GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a

 ..2. Size:118K  philips
 phb34nq10t phd34nq10t php34nq10t 1.pdf pdf_icon

PHD34NQ10T

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP34NQ10T, PHB34NQ10T PHD34NQ10T FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 100 V Fast switching Low thermal resistance ID = 35 A g RDS(ON) 40 m s GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a

Другие IGBT... PHD108NQ03LT, PHD14NQ20T, PHD16N03LT, PHD16N03T, PHD18NQ10T, PHD21N06LT, PHD22NQ20T, PHD23NQ10T, IRF3710, PHD36N03LT, PHD37N06LT, PHD44N06LT, PHD50N06LT, PHD66NQ03LT, PHD77NQ03T, PHD78NQ03LT, PHD82NQ03LT