PHD36N03LT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PHD36N03LT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 57.6 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 43.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK
Búsqueda de reemplazo de PHD36N03LT MOSFET
PHD36N03LT PDF Specs
phd36n03lt php36n03lt.pdf
PHD/PHP36N03LT N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 02 8 June 2006 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Logic level compatible Low gate charge 1.3 Applications DC-to-DC converters Switched-mode power supplies 1.4 Quick r... See More ⇒
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History: P0803BVG
History: P0803BVG
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