Справочник MOSFET. PHD36N03LT

 

PHD36N03LT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHD36N03LT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 43.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для PHD36N03LT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHD36N03LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:92K  philips
 phd36n03lt php36n03lt.pdf pdf_icon

PHD36N03LT

PHD/PHP36N03LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 02 8 June 2006 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plasticpackage using TrenchMOS technology.1.2 Features Logic level compatible Low gate charge1.3 Applications DC-to-DC converters Switched-mode power supplies1.4 Quick r

Другие MOSFET... PHD14NQ20T , PHD16N03LT , PHD16N03T , PHD18NQ10T , PHD21N06LT , PHD22NQ20T , PHD23NQ10T , PHD34NQ10T , IRFB4110 , PHD37N06LT , PHD44N06LT , PHD50N06LT , PHD66NQ03LT , PHD77NQ03T , PHD78NQ03LT , PHD82NQ03LT , PHD87N03LT .

History: BRCS40P03IP | SWT69N65K2F

 

 
Back to Top

 


 
.