PHD37N06LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PHD37N06LT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 13 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 37 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 77 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 205 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PHD37N06LT

PHD37N06LT Datasheet (PDF)

..1. Size:78K philips
php37n06lt phb37n06lt phd37n06lt.pdf

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP37N06LT, PHB37N06LT, PHD37N06LT Logic level FETFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology VDSS = 55 Vd Very low on-state resistance Fast switching ID = 37 A Stable off-state characteristics High thermal cycling performance RDS(ON) 35 m (VGS = 5 V)g Low thermal

..2. Size:63K philips
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