PHD37N06LT - описание и поиск аналогов

 

PHD37N06LT - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PHD37N06LT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 13 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 77 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 205 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для PHD37N06LT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHD37N06LT технические параметры

 ..1. Size:78K  philips
 php37n06lt phb37n06lt phd37n06lt.pdf pdf_icon

PHD37N06LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP37N06LT, PHB37N06LT, PHD37N06LT Logic level FET FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology VDSS = 55 V d Very low on-state resistance Fast switching ID = 37 A Stable off-state characteristics High thermal cycling performance RDS(ON) 35 m (VGS = 5 V) g Low thermal

 ..2. Size:63K  philips
 phd37n06lt.pdf pdf_icon

PHD37N06LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP37N06LT, PHB37N06LT, PHD37N06LT Logic level FET FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology VDSS = 55 V d Very low on-state resistance Fast switching ID = 37 A Stable off-state characteristics High thermal cycling performance RDS(ON) 35 m (VGS = 5 V) g Low thermal

Другие MOSFET... PHD16N03LT , PHD16N03T , PHD18NQ10T , PHD21N06LT , PHD22NQ20T , PHD23NQ10T , PHD34NQ10T , PHD36N03LT , IRFB4115 , PHD44N06LT , PHD50N06LT , PHD66NQ03LT , PHD77NQ03T , PHD78NQ03LT , PHD82NQ03LT , PHD87N03LT , PHD96NQ03LT .

 

 
Back to Top

 


 
.