PHD66NQ03LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PHD66NQ03LT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 93 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 57 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK
Búsqueda de reemplazo de PHD66NQ03LT MOSFET
PHD66NQ03LT Datasheet (PDF)
phd66nq03lt.pdf

PHB/PHD66NQ03LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 06 2 August 2004 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode field effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.1.2 Features Logic level threshold Low on-state resistance.1.3 Applications DC-to-DC converters General purpose switching.1.
Otros transistores... PHD21N06LT , PHD22NQ20T , PHD23NQ10T , PHD34NQ10T , PHD36N03LT , PHD37N06LT , PHD44N06LT , PHD50N06LT , 2SK3878 , PHD77NQ03T , PHD78NQ03LT , PHD82NQ03LT , PHD87N03LT , PHD96NQ03LT , PHD98N03LT , PHN210 , PHP101NQ03LT .
History: IXTH34N65X2 | CS7N80P | 2SK655 | AUIRFS3306 | PE5B1DZ | DMN6070SSD
History: IXTH34N65X2 | CS7N80P | 2SK655 | AUIRFS3306 | PE5B1DZ | DMN6070SSD



Liste
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