PHD66NQ03LT Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHD66NQ03LT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 93 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 57 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm

Encapsulados: DPAK

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PHD66NQ03LT datasheet

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PHD66NQ03LT

PHB/PHD66NQ03LT N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 06 2 August 2004 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode field effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Logic level threshold Low on-state resistance. 1.3 Applications DC-to-DC converters General purpose switching. 1.

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