Справочник MOSFET. PHD66NQ03LT

 

PHD66NQ03LT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PHD66NQ03LT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 93 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 57 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
   Тип корпуса: DPAK

 Аналог (замена) для PHD66NQ03LT

 

 

PHD66NQ03LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:89K  philips
 phd66nq03lt.pdf

PHD66NQ03LT PHD66NQ03LT

PHB/PHD66NQ03LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 06 2 August 2004 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode field effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.1.2 Features Logic level threshold Low on-state resistance.1.3 Applications DC-to-DC converters General purpose switching.1.

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: STS3400

 

 
Back to Top