Справочник MOSFET. PHD66NQ03LT

 

PHD66NQ03LT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHD66NQ03LT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 93 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 57 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для PHD66NQ03LT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHD66NQ03LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:89K  philips
 phd66nq03lt.pdf pdf_icon

PHD66NQ03LT

PHB/PHD66NQ03LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 06 2 August 2004 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode field effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.1.2 Features Logic level threshold Low on-state resistance.1.3 Applications DC-to-DC converters General purpose switching.1.

Другие MOSFET... PHD21N06LT , PHD22NQ20T , PHD23NQ10T , PHD34NQ10T , PHD36N03LT , PHD37N06LT , PHD44N06LT , PHD50N06LT , 2SK3878 , PHD77NQ03T , PHD78NQ03LT , PHD82NQ03LT , PHD87N03LT , PHD96NQ03LT , PHD98N03LT , PHN210 , PHP101NQ03LT .

 

 
Back to Top

 


 
.