PHD66NQ03LT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PHD66NQ03LT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 93 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 57 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для PHD66NQ03LT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHD66NQ03LT даташит

 ..1. Size:89K  philips
 phd66nq03lt.pdf pdf_icon

PHD66NQ03LT

PHB/PHD66NQ03LT N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 06 2 August 2004 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode field effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Logic level threshold Low on-state resistance. 1.3 Applications DC-to-DC converters General purpose switching. 1.

Другие IGBT... PHD21N06LT, PHD22NQ20T, PHD23NQ10T, PHD34NQ10T, PHD36N03LT, PHD37N06LT, PHD44N06LT, PHD50N06LT, 8205A, PHD77NQ03T, PHD78NQ03LT, PHD82NQ03LT, PHD87N03LT, PHD96NQ03LT, PHD98N03LT, PHN210, PHP101NQ03LT