PHD82NQ03LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PHD82NQ03LT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 78 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 480 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK
Búsqueda de reemplazo de PHD82NQ03LT MOSFET
PHD82NQ03LT Datasheet (PDF)
phd82nq03lt.pdf

PHP/PHB/PHD82NQ03LTTrenchMOS logic level FETRev. 01 28 March 2002 Product data1. Product profile1.1 DescriptionN-channel logic level field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOStechnology.Product availability:PHP82NQ03LT in SOT78 (TO-220AB)PHB82NQ03LT in SOT404 (D2-PAK)PHD82NQ03LT in SOT428 (D-PAK).1.2 Features Logic level compatible Low gate ch
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