PHD82NQ03LT Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHD82NQ03LT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 78 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 480 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm

Encapsulados: DPAK

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PHD82NQ03LT datasheet

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PHD82NQ03LT

PHP/PHB/PHD82NQ03LT TrenchMOS logic level FET Rev. 01 28 March 2002 Product data 1. Product profile 1.1 Description N-channel logic level field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. Product availability PHP82NQ03LT in SOT78 (TO-220AB) PHB82NQ03LT in SOT404 (D2-PAK) PHD82NQ03LT in SOT428 (D-PAK). 1.2 Features Logic level compatible Low gate ch

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