PHD82NQ03LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PHD82NQ03LT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 136 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 75 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.5 V
Tiempo de elevación (tr): 78 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 480 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.01 Ohm
Empaquetado / Estuche: DPAK
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PHD82NQ03LT Datasheet (PDF)
1.1. phd82nq03lt.pdf 
Size:274K _philips2
PHP/PHB/PHD82NQ03LT TrenchMOS™ logic level FET Rev. 01 — 28 March 2002 Product data 1. Product profile 1.1 Description N-channel logic level field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology. Product availability: PHP82NQ03LT in SOT78 (TO-220AB) PHB82NQ03LT in SOT404 (D2-PAK) PHD82NQ03LT in SOT428 (D-PAK). 1.2 Features Logic level compatible Low gate ch
Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .
