PHD82NQ03LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PHD82NQ03LT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 136 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 75 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.5 V
Tiempo de elevación (tr): 78 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 480 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.01 Ohm
Empaquetado / Estuche: DPAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PHD82NQ03LT
PHD82NQ03LT Datasheet (PDF)
1.1. phd82nq03lt.pdf 
Size:274K _philips2
PHP/PHB/PHD82NQ03LT TrenchMOS™ logic level FET Rev. 01 — 28 March 2002 Product data 1. Product profile 1.1 Description N-channel logic level field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology. Product availability: PHP82NQ03LT in SOT78 (TO-220AB) PHB82NQ03LT in SOT404 (D2-PAK) PHD82NQ03LT in SOT428 (D-PAK). 1.2 Features Logic level compatible Low gate ch
Otros transistores... NTF5P03T3 , NTF6P02 , NTGD1100L , NTGD3148N , NTGD4161P , NTGD4167C , NTGS3130N , NTGS3136P , IRF540N , NTGS3441 , NTGS3443 , NTGS3446 , NTGS3455 , NTGS4111P , NTGS4141N , NTGS5120P , NTHC5513 .
