PHD82NQ03LT Todos los transistores

 

PHD82NQ03LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHD82NQ03LT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 136 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 75 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.5 V

Tiempo de elevación (tr): 78 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 480 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.01 Ohm

Empaquetado / Estuche: DPAK

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PHD82NQ03LT Datasheet (PDF)

1.1. phd82nq03lt.pdf Size:274K _philips2

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PHP/PHB/PHD82NQ03LT TrenchMOS™ logic level FET Rev. 01 — 28 March 2002 Product data 1. Product profile 1.1 Description N-channel logic level field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology. Product availability: PHP82NQ03LT in SOT78 (TO-220AB) PHB82NQ03LT in SOT404 (D2-PAK) PHD82NQ03LT in SOT428 (D-PAK). 1.2 Features Logic level compatible Low gate ch

Otros transistores... NTF5P03T3 , NTF6P02 , NTGD1100L , NTGD3148N , NTGD4161P , NTGD4167C , NTGS3130N , NTGS3136P , IRF540N , NTGS3441 , NTGS3443 , NTGS3446 , NTGS3455 , NTGS4111P , NTGS4141N , NTGS5120P , NTHC5513 .

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