Справочник MOSFET. PHD82NQ03LT

 

PHD82NQ03LT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHD82NQ03LT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 78 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PHD82NQ03LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:274K  philips
 phd82nq03lt.pdf pdf_icon

PHD82NQ03LT

PHP/PHB/PHD82NQ03LTTrenchMOS logic level FETRev. 01 28 March 2002 Product data1. Product profile1.1 DescriptionN-channel logic level field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOStechnology.Product availability:PHP82NQ03LT in SOT78 (TO-220AB)PHB82NQ03LT in SOT404 (D2-PAK)PHD82NQ03LT in SOT428 (D-PAK).1.2 Features Logic level compatible Low gate ch

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: STF8236 | CHM8207JGP

 

 
Back to Top

 


 
.