PHD82NQ03LT - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PHD82NQ03LT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 78 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для PHD82NQ03LT
PHD82NQ03LT Datasheet (PDF)
phd82nq03lt.pdf

PHP/PHB/PHD82NQ03LTTrenchMOS logic level FETRev. 01 28 March 2002 Product data1. Product profile1.1 DescriptionN-channel logic level field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOStechnology.Product availability:PHP82NQ03LT in SOT78 (TO-220AB)PHB82NQ03LT in SOT404 (D2-PAK)PHD82NQ03LT in SOT428 (D-PAK).1.2 Features Logic level compatible Low gate ch
Другие MOSFET... PHD34NQ10T , PHD36N03LT , PHD37N06LT , PHD44N06LT , PHD50N06LT , PHD66NQ03LT , PHD77NQ03T , PHD78NQ03LT , IRF9540 , PHD87N03LT , PHD96NQ03LT , PHD98N03LT , PHN210 , PHP101NQ03LT , PHP101NQ04T , PHP108NQ03LT , PHP110NQ06LT .
History: IRFP4321PBF | RDD022N60 | 2SJ325 | 4N90G-TA3-T
History: IRFP4321PBF | RDD022N60 | 2SJ325 | 4N90G-TA3-T



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sa818 replacement | irfb3607 datasheet | 2n2907 equivalent | c2026 | mpsa56 transistor equivalent | 13009 transistor | irf3205 equivalent | ksa992 transistor