Справочник MOSFET. PHD82NQ03LT

 

PHD82NQ03LT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHD82NQ03LT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 78 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для PHD82NQ03LT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHD82NQ03LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:274K  philips
 phd82nq03lt.pdf pdf_icon

PHD82NQ03LT

PHP/PHB/PHD82NQ03LTTrenchMOS logic level FETRev. 01 28 March 2002 Product data1. Product profile1.1 DescriptionN-channel logic level field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOStechnology.Product availability:PHP82NQ03LT in SOT78 (TO-220AB)PHB82NQ03LT in SOT404 (D2-PAK)PHD82NQ03LT in SOT428 (D-PAK).1.2 Features Logic level compatible Low gate ch

Другие MOSFET... PHD34NQ10T , PHD36N03LT , PHD37N06LT , PHD44N06LT , PHD50N06LT , PHD66NQ03LT , PHD77NQ03T , PHD78NQ03LT , 7N65 , PHD87N03LT , PHD96NQ03LT , PHD98N03LT , PHN210 , PHP101NQ03LT , PHP101NQ04T , PHP108NQ03LT , PHP110NQ06LT .

History: LNN06R140 | P06B03LVG | AM7304N | NCEP6060GU | TPC60R580C | UTT40P04 | SPP15N65C3

 

 
Back to Top

 


 
.