PHD82NQ03LT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PHD82NQ03LT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 78 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для PHD82NQ03LT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHD82NQ03LT даташит

 ..1. Size:274K  philips
 phd82nq03lt.pdf pdf_icon

PHD82NQ03LT

PHP/PHB/PHD82NQ03LT TrenchMOS logic level FET Rev. 01 28 March 2002 Product data 1. Product profile 1.1 Description N-channel logic level field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. Product availability PHP82NQ03LT in SOT78 (TO-220AB) PHB82NQ03LT in SOT404 (D2-PAK) PHD82NQ03LT in SOT428 (D-PAK). 1.2 Features Logic level compatible Low gate ch

Другие IGBT... PHD34NQ10T, PHD36N03LT, PHD37N06LT, PHD44N06LT, PHD50N06LT, PHD66NQ03LT, PHD77NQ03T, PHD78NQ03LT, IRF630, PHD87N03LT, PHD96NQ03LT, PHD98N03LT, PHN210, PHP101NQ03LT, PHP101NQ04T, PHP108NQ03LT, PHP110NQ06LT