PHD87N03LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PHD87N03LT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 142 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 54 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 620 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PHD87N03LT

PHD87N03LT Datasheet (PDF)

..1. Size:195K philips
phd87n03lt.pdf

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP87N03LT, PHB87N03LT Logic level FET PHD87N03LT FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 25 V Very low on-state resistance Fast switching ID = 75 A Low thermal resistance Logic level compatible RDS(ON) 9.5 m (VGS = 10 V)gRDS(ON) 10.5 m (

..2. Size:102K philips
phb87n03lt phd87n03lt php87n03lt 5.pdf

Otros transistores... PHD36N03LT , PHD37N06LT , PHD44N06LT , PHD50N06LT , PHD66NQ03LT , PHD77NQ03T , PHD78NQ03LT , PHD82NQ03LT , IRF9540 , PHD96NQ03LT , PHD98N03LT , PHN210 , PHP101NQ03LT , PHP101NQ04T , PHP108NQ03LT , PHP110NQ06LT , PHP110NQ08LT .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: