PHD87N03LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHD87N03LT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 142 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 25 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 15 V

Corriente continua de drenaje (Id): 75 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2 V

Tiempo de elevación (tr): 54 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 620 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0095 Ohm

Empaquetado / Estuche: DPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PHD87N03LT

PHD87N03LT Datasheet (PDF)

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Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP87N03LT, PHB87N03LT Logic level FET PHD87N03LT FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA • ’Trench’ technology d VDSS = 25 V • Very low on-state resistance • Fast switching ID = 75 A • Low thermal resistance • Logic level compatible RDS(ON) ≤ 9.5 mΩ (VGS = 10 V) g RDS(ON) ≤ 10.5 mΩ (

1.2. phb87n03lt phd87n03lt php87n03lt 5.pdf Size:102K _philips2

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS? transistor PHP87N03LT, PHB87N03LT Logic level FET PHD87N03LT FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA � �Trench� technology d VDSS = 25 V � Very low on-state resistance � Fast switching ID = 75 A � Low thermal resistance � Logic level compatible RDS(ON) ? 9.5 m? (VGS = 10 V) g RDS(ON) ? 10.5 m? (VGS = 5 V) s GENERAL DESC

Otros transistores... NTF5P03T3 , NTF6P02 , NTGD1100L , NTGD3148N , NTGD4161P , NTGD4167C , NTGS3130N , NTGS3136P , IRF540N , NTGS3441 , NTGS3443 , NTGS3446 , NTGS3455 , NTGS4111P , NTGS4141N , NTGS5120P , NTHC5513 .

Liste

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