PHD87N03LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PHD87N03LT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 142 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 25 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 15 V
Corriente continua de drenaje (Id): 75 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2 V
Tiempo de elevación (tr): 54 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 620 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0095 Ohm
Empaquetado / Estuche: DPAK
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PHD87N03LT Datasheet (PDF)
1.1. phd87n03lt.pdf 
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Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP87N03LT, PHB87N03LT Logic level FET PHD87N03LT FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA • ’Trench’ technology d VDSS = 25 V • Very low on-state resistance • Fast switching ID = 75 A • Low thermal resistance • Logic level compatible RDS(ON) ≤ 9.5 mΩ (VGS = 10 V) g RDS(ON) ≤ 10.5 mΩ (
1.2. phb87n03lt phd87n03lt php87n03lt 5.pdf Size:102K _philips2
Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS? transistor PHP87N03LT, PHB87N03LT Logic level FET PHD87N03LT FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 25 V Very low on-state resistance Fast switching ID = 75 A Low thermal resistance Logic level compatible RDS(ON) ? 9.5 m? (VGS = 10 V) g RDS(ON) ? 10.5 m? (VGS = 5 V) s GENERAL DESC
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