Справочник MOSFET. PHD87N03LT

 

PHD87N03LT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHD87N03LT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 142 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 54 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 620 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для PHD87N03LT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHD87N03LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:195K  philips
 phd87n03lt.pdf pdf_icon

PHD87N03LT

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP87N03LT, PHB87N03LT Logic level FET PHD87N03LT FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 25 V Very low on-state resistance Fast switching ID = 75 A Low thermal resistance Logic level compatible RDS(ON) 9.5 m (VGS = 10 V)gRDS(ON) 10.5 m (

 ..2. Size:102K  philips
 phb87n03lt phd87n03lt php87n03lt 5.pdf pdf_icon

PHD87N03LT

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP87N03LT, PHB87N03LT Logic level FET PHD87N03LT FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 25 V Very low on-state resistance Fast switching ID = 75 A Low thermal resistance Logic level compatible RDS(ON) 9.5 m (VGS = 10 V)gRDS(ON) 10.5 m (

Другие MOSFET... PHD36N03LT , PHD37N06LT , PHD44N06LT , PHD50N06LT , PHD66NQ03LT , PHD77NQ03T , PHD78NQ03LT , PHD82NQ03LT , K3569 , PHD96NQ03LT , PHD98N03LT , PHN210 , PHP101NQ03LT , PHP101NQ04T , PHP108NQ03LT , PHP110NQ06LT , PHP110NQ08LT .

History: VBE2102M | OSG80R380HF | FQA11N90 | HGN080N10SL | PD696BA | QM3018D

 

 
Back to Top

 


 
.