PHD96NQ03LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PHD96NQ03LT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 115 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 725 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00495 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK
Búsqueda de reemplazo de PHD96NQ03LT MOSFET
PHD96NQ03LT Datasheet (PDF)
phd96nq03lt.pdf

PHD96NQ03LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 06 15 March 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Features
Otros transistores... PHD37N06LT , PHD44N06LT , PHD50N06LT , PHD66NQ03LT , PHD77NQ03T , PHD78NQ03LT , PHD82NQ03LT , PHD87N03LT , 2N7000 , PHD98N03LT , PHN210 , PHP101NQ03LT , PHP101NQ04T , PHP108NQ03LT , PHP110NQ06LT , PHP110NQ08LT , PHP110NQ08T .
History: SM1F01NF | 2SJ279S | CJCD2005 | PMZB420UN | IRFS9N60APBF | BUK7C10-75AITE | RU190N08Q
History: SM1F01NF | 2SJ279S | CJCD2005 | PMZB420UN | IRFS9N60APBF | BUK7C10-75AITE | RU190N08Q



Liste
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