PHD96NQ03LT Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHD96NQ03LT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 115 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 725 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00495 Ohm

Encapsulados: DPAK

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PHD96NQ03LT datasheet

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PHD96NQ03LT

PHD96NQ03LT N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 06 15 March 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features

Otros transistores... PHD37N06LT, PHD44N06LT, PHD50N06LT, PHD66NQ03LT, PHD77NQ03T, PHD78NQ03LT, PHD82NQ03LT, PHD87N03LT, AON7408, PHD98N03LT, PHN210, PHP101NQ03LT, PHP101NQ04T, PHP108NQ03LT, PHP110NQ06LT, PHP110NQ08LT, PHP110NQ08T