PHD96NQ03LT Todos los transistores

 

PHD96NQ03LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHD96NQ03LT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 115 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 725 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00495 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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PHD96NQ03LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:209K  philips
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PHD96NQ03LT

PHD96NQ03LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 06 15 March 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Features

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History: SM1F01NF | 2SJ279S | CJCD2005 | PMZB420UN | IRFS9N60APBF | BUK7C10-75AITE | RU190N08Q

 

 
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