PHD96NQ03LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PHD96NQ03LT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 115 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 25 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 75 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2 V
Tiempo de elevación (tr): 70 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 725 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.00495 Ohm
Empaquetado / Estuche: DPAK
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PHD96NQ03LT Datasheet (PDF)
1.1. phd96nq03lt.pdf 
Size:209K _philips2
PHD96NQ03LT N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 06 — 15 March 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features
Otros transistores... NTF5P03T3 , NTF6P02 , NTGD1100L , NTGD3148N , NTGD4161P , NTGD4167C , NTGS3130N , NTGS3136P , IRF540N , NTGS3441 , NTGS3443 , NTGS3446 , NTGS3455 , NTGS4111P , NTGS4141N , NTGS5120P , NTHC5513 .
