PHD96NQ03LT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PHD96NQ03LT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 725 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00495 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для PHD96NQ03LT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHD96NQ03LT даташит

 ..1. Size:209K  philips
 phd96nq03lt.pdf pdf_icon

PHD96NQ03LT

PHD96NQ03LT N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 06 15 March 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features

Другие IGBT... PHD37N06LT, PHD44N06LT, PHD50N06LT, PHD66NQ03LT, PHD77NQ03T, PHD78NQ03LT, PHD82NQ03LT, PHD87N03LT, AON7408, PHD98N03LT, PHN210, PHP101NQ03LT, PHP101NQ04T, PHP108NQ03LT, PHP110NQ06LT, PHP110NQ08LT, PHP110NQ08T