Справочник MOSFET. PHD96NQ03LT

 

PHD96NQ03LT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHD96NQ03LT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 725 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00495 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для PHD96NQ03LT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHD96NQ03LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:209K  philips
 phd96nq03lt.pdf pdf_icon

PHD96NQ03LT

PHD96NQ03LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 06 15 March 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Features

Другие MOSFET... PHD37N06LT , PHD44N06LT , PHD50N06LT , PHD66NQ03LT , PHD77NQ03T , PHD78NQ03LT , PHD82NQ03LT , PHD87N03LT , 2N7000 , PHD98N03LT , PHN210 , PHP101NQ03LT , PHP101NQ04T , PHP108NQ03LT , PHP110NQ06LT , PHP110NQ08LT , PHP110NQ08T .

History: MS4N60C | AM4922N | IXTH22N50P | VS3615GE | IRF6637 | FTK35N03PDFN56

 

 
Back to Top

 


 
.