PHD98N03LT Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHD98N03LT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 111 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 710 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0073 Ohm

Encapsulados: DPAK

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PHD98N03LT datasheet

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PHD98N03LT

PHD98N03LT N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 05 1 December 2006 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Low on-state resistance Fast switching 1.3 Applications Computer motherboard high-frequency DC-to-DC converters 1.4

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