PHD98N03LT Todos los transistores

 

PHD98N03LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHD98N03LT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 111 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 710 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0073 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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PHD98N03LT Datasheet (PDF)

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PHD98N03LT

PHD98N03LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 05 1 December 2006 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plasticpackage using TrenchMOS technology.1.2 Features Low on-state resistance Fast switching1.3 Applications Computer motherboard high-frequency DC-to-DC converters1.4

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History: SI1427EDH | TPCA8028-H | SVGQ047R6NL5V-2HS | BSC016N04LSG | STW9NA80 | STW75N20

 

 
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