PHD98N03LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PHD98N03LT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 111 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 25 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 75 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2 V
Tiempo de elevación (tr): 80 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 710 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0073 Ohm
Empaquetado / Estuche: DPAK
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PHD98N03LT Datasheet (PDF)
1.1. phd98n03lt.pdf 
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PHD98N03LT N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 05 — 1 December 2006 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Low on-state resistance Fast switching 1.3 Applications Computer motherboard high-frequency DC-to-DC converters 1.4
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