PHD98N03LT Todos los transistores

 

PHD98N03LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHD98N03LT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 111 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 25 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 75 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2 V

Tiempo de elevación (tr): 80 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 710 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0073 Ohm

Empaquetado / Estuche: DPAK

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PHD98N03LT Datasheet (PDF)

1.1. phd98n03lt.pdf Size:85K _philips2

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PHD98N03LT N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 05 — 1 December 2006 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Low on-state resistance Fast switching 1.3 Applications Computer motherboard high-frequency DC-to-DC converters 1.4

Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 

 
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