PHD98N03LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PHD98N03LT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 111 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 710 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0073 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK
Búsqueda de reemplazo de PHD98N03LT MOSFET
PHD98N03LT Datasheet (PDF)
phd98n03lt.pdf

PHD98N03LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 05 1 December 2006 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plasticpackage using TrenchMOS technology.1.2 Features Low on-state resistance Fast switching1.3 Applications Computer motherboard high-frequency DC-to-DC converters1.4
Otros transistores... PHD44N06LT , PHD50N06LT , PHD66NQ03LT , PHD77NQ03T , PHD78NQ03LT , PHD82NQ03LT , PHD87N03LT , PHD96NQ03LT , IRFP260 , PHN210 , PHP101NQ03LT , PHP101NQ04T , PHP108NQ03LT , PHP110NQ06LT , PHP110NQ08LT , PHP110NQ08T , PHP112N06T .
History: SI1427EDH | TPCA8028-H | SVGQ047R6NL5V-2HS | BSC016N04LSG | STW9NA80 | STW75N20
History: SI1427EDH | TPCA8028-H | SVGQ047R6NL5V-2HS | BSC016N04LSG | STW9NA80 | STW75N20



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
c2026 | mpsa56 transistor equivalent | 13009 transistor | irf3205 equivalent | ksa992 transistor | 2n2926 | ksa992 pinout | 2n1308 transistor