Справочник MOSFET. PHD98N03LT

 

PHD98N03LT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHD98N03LT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 111 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 710 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0073 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для PHD98N03LT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHD98N03LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:85K  philips
 phd98n03lt.pdf pdf_icon

PHD98N03LT

PHD98N03LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 05 1 December 2006 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plasticpackage using TrenchMOS technology.1.2 Features Low on-state resistance Fast switching1.3 Applications Computer motherboard high-frequency DC-to-DC converters1.4

Другие MOSFET... PHD44N06LT , PHD50N06LT , PHD66NQ03LT , PHD77NQ03T , PHD78NQ03LT , PHD82NQ03LT , PHD87N03LT , PHD96NQ03LT , IRFP260 , PHN210 , PHP101NQ03LT , PHP101NQ04T , PHP108NQ03LT , PHP110NQ06LT , PHP110NQ08LT , PHP110NQ08T , PHP112N06T .

History: OSG60R900AF | RYC002N05 | SI1413EDH | S68N08ZS | LSH60R2K5HT | STY100NS20FD | AONS62922

 

 
Back to Top

 


 
.