PHD98N03LT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PHD98N03LT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 111 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 710 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0073 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для PHD98N03LT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHD98N03LT даташит

 ..1. Size:85K  philips
 phd98n03lt.pdf pdf_icon

PHD98N03LT

PHD98N03LT N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 05 1 December 2006 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Low on-state resistance Fast switching 1.3 Applications Computer motherboard high-frequency DC-to-DC converters 1.4

Другие IGBT... PHD44N06LT, PHD50N06LT, PHD66NQ03LT, PHD77NQ03T, PHD78NQ03LT, PHD82NQ03LT, PHD87N03LT, PHD96NQ03LT, 2SK3878, PHN210, PHP101NQ03LT, PHP101NQ04T, PHP108NQ03LT, PHP110NQ06LT, PHP110NQ08LT, PHP110NQ08T, PHP112N06T