PHN210 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHN210

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 88 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: SOT96-1

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PHN210 datasheet

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PHN210

Philips Semiconductors Product specification Dual N-channel enhancement mode PHN210 TrenchMOSTM transistor FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Dual device VDS = 30 V d1 d1 d2 d2 Low threshold voltage Fast switching ID = 3.4 A Logic level compatible Surface mount package RDS(ON) 100 m (VGS = 10 V) RDS(ON) 200 m (VGS = 4.5 V) s1 g1 s2 g2 GENERAL

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PHN210

Philips Semiconductors Product specification Dual N-channel enhancement mode PHN210 TrenchMOSTM transistor FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Dual device VDS = 30 V d1 d1 d2 d2 Low threshold voltage Fast switching ID = 3.4 A Logic level compatible Surface mount package RDS(ON) 100 m (VGS = 10 V) RDS(ON) 200 m (VGS = 4.5 V) s1 g1 s2 g2 GENERAL

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