PHN210 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PHN210
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.8 Vtrⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 88 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT96-1
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PHN210
PHN210 Datasheet (PDF)
phn210 3.pdf
Philips Semiconductors Product specification Dual N-channel enhancement mode PHN210 TrenchMOSTM transistorFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Dual device VDS = 30 Vd1 d1 d2 d2 Low threshold voltage Fast switching ID = 3.4 A Logic level compatible Surface mount package RDS(ON) 100 m (VGS = 10 V)RDS(ON) 200 m (VGS = 4.5 V)s1g1 s2 g2GENERAL
phn210.pdf
Philips Semiconductors Product specification Dual N-channel enhancement mode PHN210 TrenchMOSTM transistorFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Dual device VDS = 30 Vd1 d1 d2 d2 Low threshold voltage Fast switching ID = 3.4 A Logic level compatible Surface mount package RDS(ON) 100 m (VGS = 10 V)RDS(ON) 200 m (VGS = 4.5 V)s1g1 s2 g2GENERAL
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Liste
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