PHN210 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PHN210

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 88 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: SOT96-1

Аналог (замена) для PHN210

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHN210 даташит

 ..1. Size:87K  philips
 phn210 3.pdf pdf_icon

PHN210

Philips Semiconductors Product specification Dual N-channel enhancement mode PHN210 TrenchMOSTM transistor FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Dual device VDS = 30 V d1 d1 d2 d2 Low threshold voltage Fast switching ID = 3.4 A Logic level compatible Surface mount package RDS(ON) 100 m (VGS = 10 V) RDS(ON) 200 m (VGS = 4.5 V) s1 g1 s2 g2 GENERAL

 ..2. Size:92K  philips
 phn210.pdf pdf_icon

PHN210

Philips Semiconductors Product specification Dual N-channel enhancement mode PHN210 TrenchMOSTM transistor FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Dual device VDS = 30 V d1 d1 d2 d2 Low threshold voltage Fast switching ID = 3.4 A Logic level compatible Surface mount package RDS(ON) 100 m (VGS = 10 V) RDS(ON) 200 m (VGS = 4.5 V) s1 g1 s2 g2 GENERAL

Другие IGBT... PHD50N06LT, PHD66NQ03LT, PHD77NQ03T, PHD78NQ03LT, PHD82NQ03LT, PHD87N03LT, PHD96NQ03LT, PHD98N03LT, STP75NF75, PHP101NQ03LT, PHP101NQ04T, PHP108NQ03LT, PHP110NQ06LT, PHP110NQ08LT, PHP110NQ08T, PHP112N06T, PHP119NQ06T