PHN210 - аналоги и даташиты транзистора

 

PHN210 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PHN210
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 88 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: SOT96-1
 

 Аналог (замена) для PHN210

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHN210 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:87K  philips
 phn210 3.pdf pdf_icon

PHN210

Philips Semiconductors Product specification Dual N-channel enhancement mode PHN210 TrenchMOSTM transistorFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Dual device VDS = 30 Vd1 d1 d2 d2 Low threshold voltage Fast switching ID = 3.4 A Logic level compatible Surface mount package RDS(ON) 100 m (VGS = 10 V)RDS(ON) 200 m (VGS = 4.5 V)s1g1 s2 g2GENERAL

 ..2. Size:92K  philips
 phn210.pdf pdf_icon

PHN210

Philips Semiconductors Product specification Dual N-channel enhancement mode PHN210 TrenchMOSTM transistorFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Dual device VDS = 30 Vd1 d1 d2 d2 Low threshold voltage Fast switching ID = 3.4 A Logic level compatible Surface mount package RDS(ON) 100 m (VGS = 10 V)RDS(ON) 200 m (VGS = 4.5 V)s1g1 s2 g2GENERAL

Другие MOSFET... PHD50N06LT , PHD66NQ03LT , PHD77NQ03T , PHD78NQ03LT , PHD82NQ03LT , PHD87N03LT , PHD96NQ03LT , PHD98N03LT , 12N60 , PHP101NQ03LT , PHP101NQ04T , PHP108NQ03LT , PHP110NQ06LT , PHP110NQ08LT , PHP110NQ08T , PHP112N06T , PHP119NQ06T .

History: MMP3443 | BLP039N08-B | DACMI450N120BZK3 | QM3004S | 2SK1960 | NTJS3157NT1G | SIR798DP

 

 
Back to Top

 


 
.