PHN210 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PHN210
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.8 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.4 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 8 ns
Выходная емкость (Cd): 88 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.1 Ohm
Тип корпуса: SOT96-1
PHN210 Datasheet (PDF)
phn210 3.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Philips Semiconductors Product specification Dual N-channel enhancement mode PHN210 TrenchMOSTM transistorFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Dual device VDS = 30 Vd1 d1 d2 d2 Low threshold voltage Fast switching ID = 3.4 A Logic level compatible Surface mount package RDS(ON) 100 m (VGS = 10 V)RDS(ON) 200 m (VGS = 4.5 V)s1g1 s2 g2GENERAL
phn210.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Philips Semiconductors Product specification Dual N-channel enhancement mode PHN210 TrenchMOSTM transistorFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Dual device VDS = 30 Vd1 d1 d2 d2 Low threshold voltage Fast switching ID = 3.4 A Logic level compatible Surface mount package RDS(ON) 100 m (VGS = 10 V)RDS(ON) 200 m (VGS = 4.5 V)s1g1 s2 g2GENERAL
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
![PHN210](https://alltransistors.com/images/us.png)
![PHN210](https://alltransistors.com/images/es.png)
![PHN210](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: RUQ4040M2 | RUH85350T | RUH85230S | RUH85210R | RUH85150R | RUH85120S | RUH85120M-C | RUH85100M-C | RUH60D60M | RUH6080R | RUH6080M3-C | RUH60120M | RUH60120L | RUH40E12C | RUH40D40M | RUH4040M3