PHP24N03LT Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHP24N03LT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 13 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 144 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: TO-220AB

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

PHP24N03LT datasheet

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PHP24N03LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP24N03LT, PHB24N03LT Logic level FET FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology VDSS = 30 V d Very low on-state resistance Fast switching ID = 24 A Stable off-state characteristics High thermal cycling performance RDS(ON) 56 m (VGS = 5 V) g Low thermal resistance

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PHP24N03LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP24N03LT, PHB24N03LT Logic level FET FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology VDSS = 30 V d Very low on-state resistance Fast switching ID = 24 A Stable off-state characteristics High thermal cycling performance RDS(ON) 56 m (VGS = 5 V) g Low thermal resistance

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Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP24N03LT, PHB24N03LT Logic level FET FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology VDSS = 30 V d Very low on-state resistance Fast switching ID = 24 A Stable off-state characteristics High thermal cycling performance RDS(ON) 56 m (VGS = 5 V) g Low thermal resistance

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PHP24N03LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP24N03T Standard level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT standard level field-effect power transistor in a plastic envelope using VDS Drain-source voltage 30 V trench technology. The device ID Drain current (DC) 24 A features very low on-state r

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