PHP24N03LT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PHP24N03LT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 13 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 144 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для PHP24N03LT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHP24N03LT даташит

 ..1. Size:54K  philips
 php24n03lt phb24n03lt.pdf pdf_icon

PHP24N03LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP24N03LT, PHB24N03LT Logic level FET FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology VDSS = 30 V d Very low on-state resistance Fast switching ID = 24 A Stable off-state characteristics High thermal cycling performance RDS(ON) 56 m (VGS = 5 V) g Low thermal resistance

 ..2. Size:136K  philips
 php24n03lt.pdf pdf_icon

PHP24N03LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP24N03LT, PHB24N03LT Logic level FET FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology VDSS = 30 V d Very low on-state resistance Fast switching ID = 24 A Stable off-state characteristics High thermal cycling performance RDS(ON) 56 m (VGS = 5 V) g Low thermal resistance

 ..3. Size:44K  philips
 php24n03lt 2.pdf pdf_icon

PHP24N03LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP24N03LT, PHB24N03LT Logic level FET FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology VDSS = 30 V d Very low on-state resistance Fast switching ID = 24 A Stable off-state characteristics High thermal cycling performance RDS(ON) 56 m (VGS = 5 V) g Low thermal resistance

 6.1. Size:48K  philips
 php24n03t 1.pdf pdf_icon

PHP24N03LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP24N03T Standard level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT standard level field-effect power transistor in a plastic envelope using VDS Drain-source voltage 30 V trench technology. The device ID Drain current (DC) 24 A features very low on-state r

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PHP152NQ03LTA, PHP160NQ08T, PHP165NQ08T, PHP174NQ04LT, PHP176NQ04T, PHP21N06T, PHP222NQ04LT, PHP225NQ04T, CS150N03A8, PHP32N06LT, PHP34NQ11T, PHP36N03LT, PHP45N03LT, PHP45NQ15T, PHP52N06T, PHP54N06T, PHP66NQ03LT