PHP32N06LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PHP32N06LT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 97 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 34 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220AB
Búsqueda de reemplazo de PHP32N06LT MOSFET
PHP32N06LT Datasheet (PDF)
php32n06lt php32n06lt phb32n06lt.pdf

PHP32N06LT; PHB32N06LTN-channel enhancement mode field effect transistorRev. 01 06 November 2001 Product data1. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package usingTrenchMOS1 technology.Product availability:PHP32N06LT in SOT78 (TO220AB)PHB32N06LT in SOT404 (D2-PAK).2. Features TrenchMOS technology Logic level compatible.
Otros transistores... PHP160NQ08T , PHP165NQ08T , PHP174NQ04LT , PHP176NQ04T , PHP21N06T , PHP222NQ04LT , PHP225NQ04T , PHP24N03LT , IRFP450 , PHP34NQ11T , PHP36N03LT , PHP45N03LT , PHP45NQ15T , PHP52N06T , PHP54N06T , PHP66NQ03LT , PHP71NQ03LT .
History: P1060ETFNA | IRF9620PBF | SRC65R1K3ES | 2SK947 | 2SK241 | NCE8205A | RHU003N03
History: P1060ETFNA | IRF9620PBF | SRC65R1K3ES | 2SK947 | 2SK241 | NCE8205A | RHU003N03



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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