PHP32N06LT Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHP32N06LT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 97 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 15 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 34 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm

Encapsulados: TO-220AB

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PHP32N06LT datasheet

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PHP32N06LT

PHP32N06LT; PHB32N06LT N-channel enhancement mode field effect transistor Rev. 01 06 November 2001 Product data 1. Description N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS 1 technology. Product availability PHP32N06LT in SOT78 (TO220AB) PHB32N06LT in SOT404 (D2-PAK). 2. Features TrenchMOS technology Logic level compatible.

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