PHP32N06LT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PHP32N06LT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 97 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для PHP32N06LT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHP32N06LT даташит

 ..1. Size:274K  philips
 php32n06lt php32n06lt phb32n06lt.pdf pdf_icon

PHP32N06LT

PHP32N06LT; PHB32N06LT N-channel enhancement mode field effect transistor Rev. 01 06 November 2001 Product data 1. Description N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS 1 technology. Product availability PHP32N06LT in SOT78 (TO220AB) PHB32N06LT in SOT404 (D2-PAK). 2. Features TrenchMOS technology Logic level compatible.

Другие IGBT... PHP160NQ08T, PHP165NQ08T, PHP174NQ04LT, PHP176NQ04T, PHP21N06T, PHP222NQ04LT, PHP225NQ04T, PHP24N03LT, NCEP15T14, PHP34NQ11T, PHP36N03LT, PHP45N03LT, PHP45NQ15T, PHP52N06T, PHP54N06T, PHP66NQ03LT, PHP71NQ03LT