PHP34NQ11T Todos los transistores

 

PHP34NQ11T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHP34NQ11T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 110 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
 

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PHP34NQ11T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:90K  philips
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PHP34NQ11T

PHP34NQ11TN-channel TrenchMOS standard level FETRev. 01 17 May 2004 Product data1. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.1.2 Features Low on-state resistance Low thermal resistance.1.3 Applications DC-to-DC converters Switched-mode power supplies.1.4 Quick reference data V

 6.1. Size:118K  philips
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PHP34NQ11T

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP34NQ10T, PHB34NQ10T PHD34NQ10TFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 100 V Fast switching Low thermal resistance ID = 35 AgRDS(ON) 40 msGENERAL DESCRIPTIONN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a

Otros transistores... PHP165NQ08T , PHP174NQ04LT , PHP176NQ04T , PHP21N06T , PHP222NQ04LT , PHP225NQ04T , PHP24N03LT , PHP32N06LT , IRFP250 , PHP36N03LT , PHP45N03LT , PHP45NQ15T , PHP52N06T , PHP54N06T , PHP66NQ03LT , PHP71NQ03LT , PHP73N06T .

History: CSD25304W1015 | CWDM305ND

 

 
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