PHP34NQ11T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PHP34NQ11T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 110 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для PHP34NQ11T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHP34NQ11T даташит

 ..1. Size:90K  philips
 php34nq11t.pdf pdf_icon

PHP34NQ11T

PHP34NQ11T N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 01 17 May 2004 Product data 1. Product profile 1.1 Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Low on-state resistance Low thermal resistance. 1.3 Applications DC-to-DC converters Switched-mode power supplies. 1.4 Quick reference data V

 6.1. Size:118K  philips
 phb34nq10t phd34nq10t php34nq10t 1.pdf pdf_icon

PHP34NQ11T

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP34NQ10T, PHB34NQ10T PHD34NQ10T FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 100 V Fast switching Low thermal resistance ID = 35 A g RDS(ON) 40 m s GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a

Другие IGBT... PHP165NQ08T, PHP174NQ04LT, PHP176NQ04T, PHP21N06T, PHP222NQ04LT, PHP225NQ04T, PHP24N03LT, PHP32N06LT, AON7506, PHP36N03LT, PHP45N03LT, PHP45NQ15T, PHP52N06T, PHP54N06T, PHP66NQ03LT, PHP71NQ03LT, PHP73N06T