PHP54N06T Todos los transistores

 

PHP54N06T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHP54N06T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 118 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 54 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 74 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
     - Selección de transistores por parámetros

 

PHP54N06T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:211K  philips
 php54n06t.pdf pdf_icon

PHP54N06T

PHP54N06TN-channel TrenchMOS standard level FETRev. 02 14 December 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionStandard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Fe

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History: 2SJ257 | FMH47N60S1 | WPM4801 | AOTF12N50 | UT20N03 | S68N08ZRN | FDMS3660AS

 

 
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