Справочник MOSFET. PHP54N06T

 

PHP54N06T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHP54N06T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 118 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 54 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 74 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для PHP54N06T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHP54N06T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:211K  philips
php54n06t.pdfpdf_icon

PHP54N06T

PHP54N06TN-channel TrenchMOS standard level FETRev. 02 14 December 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionStandard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Fe

Другие MOSFET... PHP225NQ04T , PHP24N03LT , PHP32N06LT , PHP34NQ11T , PHP36N03LT , PHP45N03LT , PHP45NQ15T , PHP52N06T , 18N50 , PHP66NQ03LT , PHP71NQ03LT , PHP73N06T , PHP75NQ08T , PHP78NQ03LT , PHP83N03LT , PHP96NQ03LT , PHP9N60E .

History: BRCS120N06HA | PDN3914S | P1850EF | RJK5030DPP-M0 | DMN67D8LW | SRC60R950E | BRCS120N06SYM

 

 
Back to Top

 


 
.