PHU108NQ03LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PHU108NQ03LT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 187 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 25 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 75 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2 V
Tiempo de subida (tr): 38 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 640 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.006 Ohm
Paquete / Cubierta: IPAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PHU108NQ03LT
PHU108NQ03LT Datasheet (PDF)
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PHB/PHD/PHU108NQ03LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 03 18 April 2005 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plasticpackage using TrenchMOS technology.1.2 Features Logic level threshold Very low on-state resistance Lead-free construction Low gate charge1.3 Applicati
php101nq03lt phu101nq03lt.pdf
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PHP/PHU101NQ03LTTrenchMOS logic level FETRev. 02 25 February 2003 Product data1. DescriptionN-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.Product availability:PHP101NQ03LT in SOT78 (TO-220AB)PHU101NQ03LT in SOT533 (I-PAK).2. Features Low gate charge Low on-state resistance.3. Applications Optimized as a con
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