PHU108NQ03LT Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHU108NQ03LT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 187 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 640 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm

Encapsulados: IPAK

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PHU108NQ03LT datasheet

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PHU108NQ03LT

PHB/PHD/PHU108NQ03LT N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 03 18 April 2005 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Logic level threshold Very low on-state resistance Lead-free construction Low gate charge 1.3 Applicati

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PHU108NQ03LT

PHP/PHU101NQ03LT TrenchMOS logic level FET Rev. 02 25 February 2003 Product data 1. Description N-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. Product availability PHP101NQ03LT in SOT78 (TO-220AB) PHU101NQ03LT in SOT533 (I-PAK). 2. Features Low gate charge Low on-state resistance. 3. Applications Optimized as a con

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