PHU108NQ03LT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PHU108NQ03LT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 187 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 640 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: IPAK

Аналог (замена) для PHU108NQ03LT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHU108NQ03LT даташит

 ..1. Size:94K  philips
 phb108nq03lt phd108nq03lt phu108nq03lt.pdf pdf_icon

PHU108NQ03LT

PHB/PHD/PHU108NQ03LT N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 03 18 April 2005 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Logic level threshold Very low on-state resistance Lead-free construction Low gate charge 1.3 Applicati

 9.1. Size:89K  philips
 php101nq03lt phu101nq03lt.pdf pdf_icon

PHU108NQ03LT

PHP/PHU101NQ03LT TrenchMOS logic level FET Rev. 02 25 February 2003 Product data 1. Description N-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. Product availability PHP101NQ03LT in SOT78 (TO-220AB) PHU101NQ03LT in SOT533 (I-PAK). 2. Features Low gate charge Low on-state resistance. 3. Applications Optimized as a con

Другие IGBT... PHP71NQ03LT, PHP73N06T, PHP75NQ08T, PHP78NQ03LT, PHP83N03LT, PHP96NQ03LT, PHP9N60E, PHU101NQ03LT, 18N50, PHU11NQ10T, PHU66NQ03LT, PHU77NQ03T, PHU78NQ03LT, PHW7N60, PHW80NQ10T, PHX14NQ20T, PHX18NQ11T