Справочник MOSFET. PHU108NQ03LT

 

PHU108NQ03LT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHU108NQ03LT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 187 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 38 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 640 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: IPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PHU108NQ03LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:94K  philips
 phb108nq03lt phd108nq03lt phu108nq03lt.pdf pdf_icon

PHU108NQ03LT

PHB/PHD/PHU108NQ03LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 03 18 April 2005 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plasticpackage using TrenchMOS technology.1.2 Features Logic level threshold Very low on-state resistance Lead-free construction Low gate charge1.3 Applicati

 9.1. Size:89K  philips
 php101nq03lt phu101nq03lt.pdf pdf_icon

PHU108NQ03LT

PHP/PHU101NQ03LTTrenchMOS logic level FETRev. 02 25 February 2003 Product data1. DescriptionN-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.Product availability:PHP101NQ03LT in SOT78 (TO-220AB)PHU101NQ03LT in SOT533 (I-PAK).2. Features Low gate charge Low on-state resistance.3. Applications Optimized as a con

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IXFN210N30P3 | NVMFS5C628N | SSB60R099SFD | NCEP026N10F | MC11N005 | SI7913DN | JCS5N50CT

 

 
Back to Top

 


 
.