PHU11NQ10T Todos los transistores

 

 

PHU11NQ10T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHU11NQ10T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 57.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
   Paquete / Cubierta: IPAK
 

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PHU11NQ10T Datasheet (PDF)

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PHU11NQ10T

PHU11NQ10TTrenchMOS standard level FETRev. 01 28 May 2002 Product dataM3D4451. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.Product availability:PHU11NQ10T in SOT533 (I-pak).2. Features TrenchMOS technology Fast switching Low on-state resistance.3. Applications Relay driver High speed line

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History: NCEP070N10AGU | SSM9971GM

 

 
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