PHU11NQ10T Todos los transistores

 

PHU11NQ10T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHU11NQ10T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 57.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
   Paquete / Cubierta: IPAK
 

 Búsqueda de reemplazo de PHU11NQ10T MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PHU11NQ10T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:248K  philips
 phu11nq10t.pdf pdf_icon

PHU11NQ10T

PHU11NQ10TTrenchMOS standard level FETRev. 01 28 May 2002 Product dataM3D4451. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.Product availability:PHU11NQ10T in SOT533 (I-pak).2. Features TrenchMOS technology Fast switching Low on-state resistance.3. Applications Relay driver High speed line

Otros transistores... PHP73N06T , PHP75NQ08T , PHP78NQ03LT , PHP83N03LT , PHP96NQ03LT , PHP9N60E , PHU101NQ03LT , PHU108NQ03LT , 2N60 , PHU66NQ03LT , PHU77NQ03T , PHU78NQ03LT , PHW7N60 , PHW80NQ10T , PHX14NQ20T , PHX18NQ11T , PHX18NQ20T .

History: ME4565A-G | PD636BA | AP9974GP | FQI5N50CTU | HUFA75321S3ST | AP30N30WI | CSFR7N60F

 

 
Back to Top

 


 
.