PHU11NQ10T Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHU11NQ10T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 57.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm

Encapsulados: IPAK

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PHU11NQ10T datasheet

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PHU11NQ10T

PHU11NQ10T TrenchMOS standard level FET Rev. 01 28 May 2002 Product data M3D445 1. Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. Product availability PHU11NQ10T in SOT533 (I-pak). 2. Features TrenchMOS technology Fast switching Low on-state resistance. 3. Applications Relay driver High speed line

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