PHU11NQ10T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PHU11NQ10T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: IPAK

Аналог (замена) для PHU11NQ10T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHU11NQ10T даташит

 ..1. Size:248K  philips
 phu11nq10t.pdf pdf_icon

PHU11NQ10T

PHU11NQ10T TrenchMOS standard level FET Rev. 01 28 May 2002 Product data M3D445 1. Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. Product availability PHU11NQ10T in SOT533 (I-pak). 2. Features TrenchMOS technology Fast switching Low on-state resistance. 3. Applications Relay driver High speed line

Другие IGBT... PHP73N06T, PHP75NQ08T, PHP78NQ03LT, PHP83N03LT, PHP96NQ03LT, PHP9N60E, PHU101NQ03LT, PHU108NQ03LT, 20N50, PHU66NQ03LT, PHU77NQ03T, PHU78NQ03LT, PHW7N60, PHW80NQ10T, PHX14NQ20T, PHX18NQ11T, PHX18NQ20T