Справочник MOSFET. PHU11NQ10T

 

PHU11NQ10T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PHU11NQ10T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: IPAK

 Аналог (замена) для PHU11NQ10T

 

 

PHU11NQ10T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:248K  philips
 phu11nq10t.pdf

PHU11NQ10T PHU11NQ10T

PHU11NQ10TTrenchMOS standard level FETRev. 01 28 May 2002 Product dataM3D4451. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.Product availability:PHU11NQ10T in SOT533 (I-pak).2. Features TrenchMOS technology Fast switching Low on-state resistance.3. Applications Relay driver High speed line

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top