Справочник MOSFET. PHU11NQ10T

 

PHU11NQ10T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHU11NQ10T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: IPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PHU11NQ10T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:248K  philips
 phu11nq10t.pdf pdf_icon

PHU11NQ10T

PHU11NQ10TTrenchMOS standard level FETRev. 01 28 May 2002 Product dataM3D4451. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.Product availability:PHU11NQ10T in SOT533 (I-pak).2. Features TrenchMOS technology Fast switching Low on-state resistance.3. Applications Relay driver High speed line

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SQJ474EP | STP80NE03L-06

 

 
Back to Top

 


 
.