Справочник MOSFET. PHU11NQ10T

 

PHU11NQ10T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHU11NQ10T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: IPAK
 

 Аналог (замена) для PHU11NQ10T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHU11NQ10T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:248K  philips
 phu11nq10t.pdf pdf_icon

PHU11NQ10T

PHU11NQ10TTrenchMOS standard level FETRev. 01 28 May 2002 Product dataM3D4451. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.Product availability:PHU11NQ10T in SOT533 (I-pak).2. Features TrenchMOS technology Fast switching Low on-state resistance.3. Applications Relay driver High speed line

Другие MOSFET... PHP73N06T , PHP75NQ08T , PHP78NQ03LT , PHP83N03LT , PHP96NQ03LT , PHP9N60E , PHU101NQ03LT , PHU108NQ03LT , 2N60 , PHU66NQ03LT , PHU77NQ03T , PHU78NQ03LT , PHW7N60 , PHW80NQ10T , PHX14NQ20T , PHX18NQ11T , PHX18NQ20T .

History: VS80N08AT | JCS7N95ABA | 2SK1023 | BSC070N10NS3G | YTF150 | AOK095A60

 

 
Back to Top

 


 
.