PHU66NQ03LT Todos los transistores

 

PHU66NQ03LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHU66NQ03LT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 93 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 57 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm
   Paquete / Cubierta: IPAK
 

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PHU66NQ03LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:87K  philips
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PHU66NQ03LT

PHP/PHU66NQ03LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 06 12 August 2004 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode field effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.1.2 Features Logic level threshold Low on-state resistance.1.3 Applications DC-to-DC converters General purpose switching.1

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