PHU66NQ03LT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PHU66NQ03LT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 93 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 57 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm

Тип корпуса: IPAK

Аналог (замена) для PHU66NQ03LT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHU66NQ03LT даташит

 ..1. Size:87K  philips
 php66nq03lt phu66nq03lt.pdf pdf_icon

PHU66NQ03LT

PHP/PHU66NQ03LT N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 06 12 August 2004 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode field effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Logic level threshold Low on-state resistance. 1.3 Applications DC-to-DC converters General purpose switching. 1

Другие IGBT... PHP75NQ08T, PHP78NQ03LT, PHP83N03LT, PHP96NQ03LT, PHP9N60E, PHU101NQ03LT, PHU108NQ03LT, PHU11NQ10T, IRF520, PHU77NQ03T, PHU78NQ03LT, PHW7N60, PHW80NQ10T, PHX14NQ20T, PHX18NQ11T, PHX18NQ20T, PHX20N06T