PHW80NQ10T Todos los transistores

 

PHW80NQ10T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHW80NQ10T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 263 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 650 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

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PHW80NQ10T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:96K  philips
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PHW80NQ10T

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHW80NQ10T FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Very low on-state resistance VDSS = 100 V Fast switching Low thermal resistance ID = 80 AgRDS(ON) 15 msGENERAL DESCRIPTION PINNING SOT429 (TO247)N-channel enhancement mode PIN DESCRIPTIONfield-effect p

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History: PMN55ENEA | PHB191NQ06LT | ELM32403LA | FDS7088N7 | 4N65G-TF3T-T | TMPF9N50S | AM7632N

 

 
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