PHW80NQ10T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PHW80NQ10T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 263 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Время нарастания (tr): 80 ns
Выходная емкость (Cd): 650 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.015 Ohm
Тип корпуса: TO-247
Аналог (замена) для PHW80NQ10T
PHW80NQ10T Datasheet (PDF)
..1. Size:96K philips
phw80nq10t.pdf
phw80nq10t.pdf
Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHW80NQ10T FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Very low on-state resistance VDSS = 100 V Fast switching Low thermal resistance ID = 80 AgRDS(ON) 15 msGENERAL DESCRIPTION PINNING SOT429 (TO247)N-channel enhancement mode PIN DESCRIPTIONfield-effect p
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
