PHW80NQ10T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: PHW80NQ10T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 263 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 650 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
Тип корпуса: TO-247
PHW80NQ10T Datasheet (PDF)
phw80nq10t.pdf

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHW80NQ10T FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Very low on-state resistance VDSS = 100 V Fast switching Low thermal resistance ID = 80 AgRDS(ON) 15 msGENERAL DESCRIPTION PINNING SOT429 (TO247)N-channel enhancement mode PIN DESCRIPTIONfield-effect p
Другие MOSFET... PHP9N60E , PHU101NQ03LT , PHU108NQ03LT , PHU11NQ10T , PHU66NQ03LT , PHU77NQ03T , PHU78NQ03LT , PHW7N60 , IRF830 , PHX14NQ20T , PHX18NQ11T , PHX18NQ20T , PHX20N06T , PHX23NQ10T , PHX23NQ11T , PHX27NQ11T , PHX45NQ11T .
History: ELM32403LA
History: ELM32403LA



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTQ080P03A | JMTQ075N03D | JMTQ062N04A | JMTQ055N04A | JMTQ050N02A | JMTQ040N03A | JMTQ025N02A | JMTP11DN10A | JMTP110N06D | JMTP110N06A | JMTP085P02A | JMTP080P03A | JMTP080N04D | JMTP080N04A | JMTP075N06A | JMTP045N03A
Popular searches
ac128 transistor datasheet | c2878 transistor | 2sc732 | 2sc1451 replacement | 6426 mosfet | b1565 | nce82h140 | 2n2369 equivalent