PHW80NQ10T - аналоги и даташиты транзистора

 

 

PHW80NQ10T - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PHW80NQ10T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 263 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 650 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для PHW80NQ10T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

 

PHW80NQ10T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:96K  philips
 phw80nq10t.pdf pdf_icon

PHW80NQ10T

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHW80NQ10T FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Very low on-state resistance VDSS = 100 V Fast switching Low thermal resistance ID = 80 AgRDS(ON) 15 msGENERAL DESCRIPTION PINNING SOT429 (TO247)N-channel enhancement mode PIN DESCRIPTIONfield-effect p

Другие MOSFET... PHP9N60E , PHU101NQ03LT , PHU108NQ03LT , PHU11NQ10T , PHU66NQ03LT , PHU77NQ03T , PHU78NQ03LT , PHW7N60 , 2N60 , PHX14NQ20T , PHX18NQ11T , PHX18NQ20T , PHX20N06T , PHX23NQ10T , PHX23NQ11T , PHX27NQ11T , PHX45NQ11T .

 

 
Back to Top

 


 
.