PHW80NQ10T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PHW80NQ10T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 263 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 650 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для PHW80NQ10T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHW80NQ10T даташит

 ..1. Size:96K  philips
 phw80nq10t.pdf pdf_icon

PHW80NQ10T

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHW80NQ10T FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Very low on-state resistance VDSS = 100 V Fast switching Low thermal resistance ID = 80 A g RDS(ON) 15 m s GENERAL DESCRIPTION PINNING SOT429 (TO247) N-channel enhancement mode PIN DESCRIPTION field-effect p

Другие IGBT... PHP9N60E, PHU101NQ03LT, PHU108NQ03LT, PHU11NQ10T, PHU66NQ03LT, PHU77NQ03T, PHU78NQ03LT, PHW7N60, 2N60, PHX14NQ20T, PHX18NQ11T, PHX18NQ20T, PHX20N06T, PHX23NQ10T, PHX23NQ11T, PHX27NQ11T, PHX45NQ11T