PHX14NQ20T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PHX14NQ20T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 128 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.23 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PHX14NQ20T

PHX14NQ20T Datasheet (PDF)

..1. Size:68K philips
phf14nq20t phx14nq20t 2.pdf

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHX14NQ20T , PHF14NQ20T FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 200 V Fast switchingID = 7.6 AgRDS(ON) 230 msGENERAL DESCRIPTIONN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic full pack envelope using

..2. Size:68K philips
phx14nq20t.pdf

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Liste

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