PHX14NQ20T Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHX14NQ20T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 128 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.23 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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PHX14NQ20T datasheet

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PHX14NQ20T

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHX14NQ20T , PHF14NQ20T FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 200 V Fast switching ID = 7.6 A g RDS(ON) 230 m s GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic full pack envelope using

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PHX14NQ20T

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHX14NQ20T , PHF14NQ20T FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 200 V Fast switching ID = 7.6 A g RDS(ON) 230 m s GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic full pack envelope using

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