Справочник MOSFET. PHX14NQ20T

 

PHX14NQ20T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHX14NQ20T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 128 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PHX14NQ20T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:68K  philips
 phf14nq20t phx14nq20t 2.pdf pdf_icon

PHX14NQ20T

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHX14NQ20T , PHF14NQ20T FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 200 V Fast switchingID = 7.6 AgRDS(ON) 230 msGENERAL DESCRIPTIONN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic full pack envelope using

 ..2. Size:68K  philips
 phx14nq20t.pdf pdf_icon

PHX14NQ20T

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHX14NQ20T , PHF14NQ20T FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 200 V Fast switchingID = 7.6 AgRDS(ON) 230 msGENERAL DESCRIPTIONN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic full pack envelope using

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: BRCS3402MA | AFN9910 | 2SK3572-Z | STD4NK60ZT4 | APT8014JLL | BRFL24N50 | SI7234DP

 

 
Back to Top

 


 
.