PHX14NQ20T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PHX14NQ20T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 128 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для PHX14NQ20T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHX14NQ20T даташит

 ..1. Size:68K  philips
 phf14nq20t phx14nq20t 2.pdf pdf_icon

PHX14NQ20T

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHX14NQ20T , PHF14NQ20T FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 200 V Fast switching ID = 7.6 A g RDS(ON) 230 m s GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic full pack envelope using

 ..2. Size:68K  philips
 phx14nq20t.pdf pdf_icon

PHX14NQ20T

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHX14NQ20T , PHF14NQ20T FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 200 V Fast switching ID = 7.6 A g RDS(ON) 230 m s GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic full pack envelope using

Другие IGBT... PHU101NQ03LT, PHU108NQ03LT, PHU11NQ10T, PHU66NQ03LT, PHU77NQ03T, PHU78NQ03LT, PHW7N60, PHW80NQ10T, 8N60, PHX18NQ11T, PHX18NQ20T, PHX20N06T, PHX23NQ10T, PHX23NQ11T, PHX27NQ11T, PHX45NQ11T, PHX8NQ11T