PHX20N06T Todos los transistores

 

PHX20N06T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHX20N06T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 23 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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PHX20N06T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:91K  philips
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PHX20N06T

PHX20N06TN-channel TrenchMOS standard level FETRev. 01 16 February 2004 Product dataM3D3081. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a fully isolated plasticpackage using TrenchMOS technology.1.2 Features Standard level compatible Isolated package.1.3 Applications DC motor control Synchronous rectification DC-to

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History: 2SK1825 | 2SK615 | LSG65R380GF | BRF65R650C | CEF14N5 | IPD350N06LG | IRF610L

 

 
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