PHX20N06T Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHX20N06T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 23 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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PHX20N06T datasheet

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PHX20N06T

PHX20N06T N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 01 16 February 2004 Product data M3D308 1. Product profile 1.1 Description N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a fully isolated plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Standard level compatible Isolated package. 1.3 Applications DC motor control Synchronous rectification DC-to

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