PHX20N06T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PHX20N06T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 23 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для PHX20N06T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHX20N06T даташит

 ..1. Size:91K  philips
 phx20n06t.pdf pdf_icon

PHX20N06T

PHX20N06T N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 01 16 February 2004 Product data M3D308 1. Product profile 1.1 Description N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a fully isolated plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Standard level compatible Isolated package. 1.3 Applications DC motor control Synchronous rectification DC-to

Другие IGBT... PHU66NQ03LT, PHU77NQ03T, PHU78NQ03LT, PHW7N60, PHW80NQ10T, PHX14NQ20T, PHX18NQ11T, PHX18NQ20T, AO3400A, PHX23NQ10T, PHX23NQ11T, PHX27NQ11T, PHX45NQ11T, PHX8NQ11T, PHX9NQ20T, PJD1NA50, PJD1NA60