Справочник MOSFET. PHX20N06T

 

PHX20N06T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHX20N06T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 23 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для PHX20N06T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHX20N06T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:91K  philips
 phx20n06t.pdf pdf_icon

PHX20N06T

PHX20N06TN-channel TrenchMOS standard level FETRev. 01 16 February 2004 Product dataM3D3081. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a fully isolated plasticpackage using TrenchMOS technology.1.2 Features Standard level compatible Isolated package.1.3 Applications DC motor control Synchronous rectification DC-to

Другие MOSFET... PHU66NQ03LT , PHU77NQ03T , PHU78NQ03LT , PHW7N60 , PHW80NQ10T , PHX14NQ20T , PHX18NQ11T , PHX18NQ20T , RU6888R , PHX23NQ10T , PHX23NQ11T , PHX27NQ11T , PHX45NQ11T , PHX8NQ11T , PHX9NQ20T , PJD1NA50 , PJD1NA60 .

 

 
Back to Top

 


 
.