PHX20N06T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: PHX20N06T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 23 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.9 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 50 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
PHX20N06T Datasheet (PDF)
phx20n06t.pdf

PHX20N06TN-channel TrenchMOS standard level FETRev. 01 16 February 2004 Product dataM3D3081. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a fully isolated plasticpackage using TrenchMOS technology.1.2 Features Standard level compatible Isolated package.1.3 Applications DC motor control Synchronous rectification DC-to
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: TPCF8105 | SGSP369 | IPD50R280CE | SML30L76 | IRFH7440TRPBF | NDT6N70 | SVF4N65RD
History: TPCF8105 | SGSP369 | IPD50R280CE | SML30L76 | IRFH7440TRPBF | NDT6N70 | SVF4N65RD



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
6426 mosfet | b1565 | nce82h140 | 2n2369 equivalent | 2sd313 datasheet | k8a50d datasheet | 2sc381 | datasheet mosfet