PHX45NQ11T Todos los transistores

 

 

PHX45NQ11T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHX45NQ11T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 110 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 72 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

 Búsqueda de reemplazo de PHX45NQ11T MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

 

PHX45NQ11T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:91K  philips
 phx45nq11t.pdf pdf_icon

PHX45NQ11T

PHX45NQ11TN-channel TrenchMOS standard level FETRev. 01 17 May 2004 Product data1. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a fully isolated encapsulatedplastic package using TrenchMOS technology.1.2 Features Low on-state resistance Isolated package.1.3 Applications DC-to-DC converters Switched-mode power supplies.1.4 Qu

Otros transistores... PHW80NQ10T , PHX14NQ20T , PHX18NQ11T , PHX18NQ20T , PHX20N06T , PHX23NQ10T , PHX23NQ11T , PHX27NQ11T , 7N60 , PHX8NQ11T , PHX9NQ20T , PJD1NA50 , PJD1NA60 , PJD1NA60A , PJD1NA80 , PJD2NA60 , PJD2NA60H .

History: STI11NM80

 

 
Back to Top

 


 
.