PHX45NQ11T - аналоги и даташиты транзистора

 

PHX45NQ11T - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PHX45NQ11T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 110 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 72 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для PHX45NQ11T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHX45NQ11T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:91K  philips
 phx45nq11t.pdf pdf_icon

PHX45NQ11T

PHX45NQ11TN-channel TrenchMOS standard level FETRev. 01 17 May 2004 Product data1. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a fully isolated encapsulatedplastic package using TrenchMOS technology.1.2 Features Low on-state resistance Isolated package.1.3 Applications DC-to-DC converters Switched-mode power supplies.1.4 Qu

Другие MOSFET... PHW80NQ10T , PHX14NQ20T , PHX18NQ11T , PHX18NQ20T , PHX20N06T , PHX23NQ10T , PHX23NQ11T , PHX27NQ11T , IRF830 , PHX8NQ11T , PHX9NQ20T , PJD1NA50 , PJD1NA60 , PJD1NA60A , PJD1NA80 , PJD2NA60 , PJD2NA60H .

History: UT3N10L-AB3-R | RP1E090RP | BUK7K18-40E | PJD1NA80 | IPA80R310CE | AP50WN650I | TSF7N80M

 

 
Back to Top

 


 
.