PJD2NA60H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PJD2NA60H
Código: D2NA60H
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 31 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 1.4 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 3.1 nC
Tiempo de subida (tr): 20 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 28 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 8.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PJD2NA60H
PJD2NA60H Datasheet (PDF)
pjd2na60h pju2na60h.pdf
PPJU2NA60H / PJD2NA60H 600V N-Channel MOSFET 600 V 1.4 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@0.7A
pjd2na60 pjf2na60 pjp2na60 pju2na60.pdf
PPJU2NA60 / PJD2NA60 / PJP2NA60 / PJF2NA60 600V N-Channel MOSFET 600 V 2 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@1A
pjd2na70 pjf2na70 pjp2na70 pju2na70.pdf
PPJU2NA70 / PJD2NA70 / PJP2NA70 / PJF2NA70 700V N-Channel MOSFET 700 V 2 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@2A
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