Справочник MOSFET. PJD2NA60H

 

PJD2NA60H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PJD2NA60H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для PJD2NA60H

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJD2NA60H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:264K  panjit
 pjd2na60h pju2na60h.pdf pdf_icon

PJD2NA60H

PPJU2NA60H / PJD2NA60H 600V N-Channel MOSFET 600 V 1.4 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@0.7A

 6.1. Size:436K  panjit
 pjd2na60 pjf2na60 pjp2na60 pju2na60.pdf pdf_icon

PJD2NA60H

PPJU2NA60 / PJD2NA60 / PJP2NA60 / PJF2NA60 600V N-Channel MOSFET 600 V 2 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@1A

 8.1. Size:450K  panjit
 pjd2na70 pjf2na70 pjp2na70 pju2na70.pdf pdf_icon

PJD2NA60H

PPJU2NA70 / PJD2NA70 / PJP2NA70 / PJF2NA70 700V N-Channel MOSFET 700 V 2 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@2A

Другие MOSFET... PHX45NQ11T , PHX8NQ11T , PHX9NQ20T , PJD1NA50 , PJD1NA60 , PJD1NA60A , PJD1NA80 , PJD2NA60 , IRF9640 , PJD2NA70 , PJD3NA50 , PJD3NA80 , PJD4NA60 , PJD4NA65 , PJD4NA70 , PJD4NA90 , PJD5NA50 .

History: IRFB7534 | 6N60 | IRFB7530

 

 
Back to Top

 


 
.