PJD2NA60H - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PJD2NA60H
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8.5 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для PJD2NA60H
PJD2NA60H Datasheet (PDF)
pjd2na60h pju2na60h.pdf

PPJU2NA60H / PJD2NA60H 600V N-Channel MOSFET 600 V 1.4 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@0.7A
pjd2na60 pjf2na60 pjp2na60 pju2na60.pdf

PPJU2NA60 / PJD2NA60 / PJP2NA60 / PJF2NA60 600V N-Channel MOSFET 600 V 2 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@1A
pjd2na70 pjf2na70 pjp2na70 pju2na70.pdf

PPJU2NA70 / PJD2NA70 / PJP2NA70 / PJF2NA70 700V N-Channel MOSFET 700 V 2 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@2A
Другие MOSFET... PHX45NQ11T , PHX8NQ11T , PHX9NQ20T , PJD1NA50 , PJD1NA60 , PJD1NA60A , PJD1NA80 , PJD2NA60 , IRFZ48N , PJD2NA70 , PJD3NA50 , PJD3NA80 , PJD4NA60 , PJD4NA65 , PJD4NA70 , PJD4NA90 , PJD5NA50 .
History: TSK80R240S1 | TPP70R450C | SFG100N10GF | DSKTJ04 | KO3414 | PJD1NA60A | DSKTJ05
History: TSK80R240S1 | TPP70R450C | SFG100N10GF | DSKTJ04 | KO3414 | PJD1NA60A | DSKTJ05



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
bc108 equivalent | irfp4568 | mj15004 | ksc2073 | nte102a | tip31cg | s9015 transistor | irf540z