PJD3NA50 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PJD3NA50

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 41.3 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.2 Ohm

Encapsulados: TO-252

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PJD3NA50 datasheet

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PJD3NA50

PPJU3NA50 / PJD3NA50 500V N-Channel MOSFET 500 V 3 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@1.5A

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PJD3NA50

PPJU3NA80 / PJD3NA80 / PJP3NA80 / PJF3NA80 800V N-Channel MOSFET 800 V 3 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@1.5A

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