PJD3NA50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PJD3NA50
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 41.3 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
- Selección de transistores por parámetros
PJD3NA50 Datasheet (PDF)
pjd3na50 pju3na50.pdf
PPJU3NA50 / PJD3NA50 500V N-Channel MOSFET 500 V 3 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@1.5A
pjd3na80 pjf3na80 pjp3na80 pju3na80.pdf
PPJU3NA80 / PJD3NA80 / PJP3NA80 / PJF3NA80 800V N-Channel MOSFET 800 V 3 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@1.5A
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: IRLI3803PBF | NCE80H12 | DMN2020LSN | IMZ120R350M1H
History: IRLI3803PBF | NCE80H12 | DMN2020LSN | IMZ120R350M1H
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
mj15004 | ksc2073 | nte102a | tip31cg | s9015 transistor | irf540z | ss8550 transistor | irfp240 mosfet