Справочник MOSFET. PJD3NA50

 

PJD3NA50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PJD3NA50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 41.3 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для PJD3NA50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJD3NA50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:265K  panjit
 pjd3na50 pju3na50.pdf pdf_icon

PJD3NA50

PPJU3NA50 / PJD3NA50 500V N-Channel MOSFET 500 V 3 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@1.5A

 8.1. Size:458K  panjit
 pjd3na80 pjf3na80 pjp3na80 pju3na80.pdf pdf_icon

PJD3NA50

PPJU3NA80 / PJD3NA80 / PJP3NA80 / PJF3NA80 800V N-Channel MOSFET 800 V 3 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@1.5A

Другие MOSFET... PHX9NQ20T , PJD1NA50 , PJD1NA60 , PJD1NA60A , PJD1NA80 , PJD2NA60 , PJD2NA60H , PJD2NA70 , MMD60R360PRH , PJD3NA80 , PJD4NA60 , PJD4NA65 , PJD4NA70 , PJD4NA90 , PJD5NA50 , PJD5NA80 , PJD6NA40 .

History: IXFH70N30Q3 | PJD4NA60 | FQD5N20L | FQD2N90

 

 
Back to Top

 


 
.