PJD3NA50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: PJD3NA50
   Маркировка: D3NA50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 6.5 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 20.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 41.3 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам