PJD3NA50 datasheet, аналоги, параметры транзистора

PJD3NA50 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PJD3NA50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 20.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 41.3 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.2 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для PJD3NA50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:265K panjit
pjd3na50 pju3na50.pdf pdf_icon

PPJU3NA50 / PJD3NA50 500V N-Channel MOSFET 500 V 3 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@1.5A

8.1. Size:458K panjit
pjd3na80 pjf3na80 pjp3na80 pju3na80.pdf pdf_icon

PPJU3NA80 / PJD3NA80 / PJP3NA80 / PJF3NA80 800V N-Channel MOSFET 800 V 3 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@1.5A