PJD5NA50 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PJD5NA50

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 76 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.55 Ohm

Encapsulados: TO-252AA

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PJD5NA50 datasheet

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PJD5NA50

PPJU5NA50 / PJD5NA50 / PJP5NA50 / PJF5NA50 500V N-Channel MOSFET 500 V 5 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@2.5A

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PJD5NA50

PPJU5NA80 / PJD5NA80 / PJP5NA80 / PJF5NA80 800V N-Channel MOSFET 800 V 5 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@ 2.5A

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