PJD5NA50 Todos los transistores

 

PJD5NA50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PJD5NA50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 76 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.55 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252AA
 

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PJD5NA50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:395K  panjit
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PJD5NA50

PPJU5NA50 / PJD5NA50 / PJP5NA50 / PJF5NA50 500V N-Channel MOSFET 500 V 5 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@2.5A

 8.1. Size:450K  panjit
 pjd5na80 pjf5na80 pjp5na80 pju5na80.pdf pdf_icon

PJD5NA50

PPJU5NA80 / PJD5NA80 / PJP5NA80 / PJF5NA80 800V N-Channel MOSFET 800 V 5 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@ 2.5A

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History: 1N65 | HUF76645S3S

 

 
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