Справочник MOSFET. PJD5NA50

 

PJD5NA50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PJD5NA50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 76 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.55 Ohm
   Тип корпуса: TO-252AA
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PJD5NA50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:395K  panjit
 pjd5na50 pjf5na50 pjp5na50 pju5na50.pdf pdf_icon

PJD5NA50

PPJU5NA50 / PJD5NA50 / PJP5NA50 / PJF5NA50 500V N-Channel MOSFET 500 V 5 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@2.5A

 8.1. Size:450K  panjit
 pjd5na80 pjf5na80 pjp5na80 pju5na80.pdf pdf_icon

PJD5NA50

PPJU5NA80 / PJD5NA80 / PJP5NA80 / PJF5NA80 800V N-Channel MOSFET 800 V 5 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@ 2.5A

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SIHB24N65E | ECH8671 | BUZ73A | BLS60R520-U | ZXMP2120E5 | IAUC120N04S6N009 | PMK35EP

 

 
Back to Top

 


 
.