PJD8NA50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PJD8NA50

Código: D8NA50

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 130 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Tiempo de elevación (tr): 30 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 114 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.9 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-252AA

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PJD8NA50 Datasheet (PDF)

1.1. pjd8na50 pjf8na50 pjp8na50 pju8na50.pdf Size:430K _panjit

PPJU8NA50 / PJD8NA50 / PJP8NA50 / PJF8NA50 500V N-Channel MOSFET 500 V 8 A Voltage Current Features  RDS(ON), VGS@10V,ID@4A<0.9Ω ITO-220AB-F TO-220AB  High switching speed  Improved dv/dt capability  Low Gate Charge  Low reverse transfer capacitance  Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive. TO-252AA TO-251AA  Green molding comp

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Liste

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