PJD8NA50 Todos los transistores

 

PJD8NA50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PJD8NA50

Código: D8NA50

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 130 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Tiempo de elevación (tr): 30 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 114 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.9 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-252AA

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PJD8NA50

 

PJD8NA50 Datasheet (PDF)

1.1. pjd8na50 pjf8na50 pjp8na50 pju8na50.pdf Size:430K _panjit

PJD8NA50
PJD8NA50

PPJU8NA50 / PJD8NA50 / PJP8NA50 / PJF8NA50 500V N-Channel MOSFET 500 V 8 A Voltage Current Features  RDS(ON), VGS@10V,ID@4A<0.9Ω ITO-220AB-F TO-220AB  High switching speed  Improved dv/dt capability  Low Gate Charge  Low reverse transfer capacitance  Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive. TO-252AA TO-251AA  Green molding comp

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


PJD8NA50
  PJD8NA50
  PJD8NA50
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: US6U37 | US6M2 | US6M11 | US6M1 | US6K4 | US6K2 | US6K1 | US6J11 | US5U38 | US5U35 | US5U30 | US5U3 | US5U29TR | US5U2 | US5U1 |

 

 

 
Back to Top