PJD8NA50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PJD8NA50
Código: D8NA50
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 130 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V
Corriente continua de drenaje (Id): 8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Tiempo de elevación (tr): 30 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 114 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.9 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO-252AA
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PJD8NA50 Datasheet (PDF)
1.1. pjd8na50 pjf8na50 pjp8na50 pju8na50.pdf 
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PPJU8NA50 / PJD8NA50 / PJP8NA50 / PJF8NA50 500V N-Channel MOSFET 500 V 8 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@4A<0.9Ω ITO-220AB-F TO-220AB High switching speed Improved dv/dt capability Low Gate Charge Low reverse transfer capacitance Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive. TO-252AA TO-251AA Green molding comp
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