PJD8NA50 Todos los transistores

 

PJD8NA50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PJD8NA50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 114 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252AA
 

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PJD8NA50 Datasheet (PDF)

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PJD8NA50

PPJU8NA50 / PJD8NA50 / PJP8NA50 / PJF8NA50 500V N-Channel MOSFET 500 V 8 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@4A

Otros transistores... PJD4NA70 , PJD4NA90 , PJD5NA50 , PJD5NA80 , PJD6NA40 , PJD6NA70 , PJD7NA60 , PJD7NA65 , 20N60 , PJF10NA60 , PJF10NA65 , PJF10NA80 , PJF12NA60 , PJF13NA50 , PJF2NA60 , PJF2NA70 , PJF3NA80 .

History: FQB22P10 | VN0106ND | JMTL3402A

 

 
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