PJD8NA50 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PJD8NA50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 114 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm

Тип корпуса: TO-252AA

Аналог (замена) для PJD8NA50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJD8NA50 даташит

 ..1. Size:430K  panjit
 pjd8na50 pjf8na50 pjp8na50 pju8na50.pdf pdf_icon

PJD8NA50

PPJU8NA50 / PJD8NA50 / PJP8NA50 / PJF8NA50 500V N-Channel MOSFET 500 V 8 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@4A

Другие IGBT... PJD4NA70, PJD4NA90, PJD5NA50, PJD5NA80, PJD6NA40, PJD6NA70, PJD7NA60, PJD7NA65, 20N60, PJF10NA60, PJF10NA65, PJF10NA80, PJF12NA60, PJF13NA50, PJF2NA60, PJF2NA70, PJF3NA80